Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38187
Title: Влияние условий быстрой термической обработки на электрофизические свойства тонких пленок хрома на кремнии
Other Titles: Effect of rapid thermal treatment conditions on electrophysical properties of cromium thin films on silicon
Authors: Соловьев, Я. А.
Пилипенко, В. А.
Keywords: доклады БГУИР;дисилицид хрома;диффузионный синтез;удельное сопротивление;диод Шоттки;высота барьера
Issue Date: 2019
Publisher: БГУИР
Citation: Соловьев, Я. А. Влияние условий быстрой термической обработки на электрофизические свойства тонких пленок хрома на кремнии / Соловьев Я. А., Пилипенко В. А. // Доклады БГУИР. – 2019. – № 7-8 (126). – С. 157-164. – DOI: https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-126-8-157-164.
Abstract: Данная работа посвящена установлению влияния температуры процесса быстрой термообработки пленок хрома на кремнии n-типа проводимости на их удельное сопротивление и контактные свойства границы раздела. Пленки хрома толщиной порядка 30 нм наносили магнетронным распылением на поверхность кремниевых подложек с удельным сопротивлением 0,58–0,53 Ом×см. Быструю термообработку проводили в режиме теплового баланса путем облучения обратной стороны подложек некогерентным световым потоком в среде азота в течение 7 с. В качестве источника нагрева использовали кварцевые галогенные лампы накаливания. Температуру процесса быстрой термообработки варьировали в интервале от 200 до 550 °С. Толщину пленок хрома определяли растровой электронной микроскопией. Поверхностное сопротивление образцов измеряли четырехзондовым методом. Высоту барьера Шоттки и коэффициент неидеальности определяли методом вольтамперных характеристик. Показано, что при температуре процесса быстрой термообработки 400 °С формируется слой дисилицида хрома, вызывающий резкое увеличение удельного сопротивления пленок хрома до 1,2 мОм×см и высоты барьера Шоттки до 0,6 В. При дальнейшем увеличении температуры процесса быстрой термообработки до 550 °С удельное сопротивление монотонно возрастает до 4,0 мОм×см за счет роста ширины межзеренных границ, увеличивающих рассеяние носителей заряда в CrSi2. Также показано, что быстрая термообработка структуры Cr/Si при температуре 450–500 °С позволяет получать выпрямляющие контакты с высотой барьера 0,615 В и коэффициентом неидеальности 1,1. Полученные результаты могут быть использованы в технологии создания изделий интегральной электроники, содержащих контакты Шоттки, а также тонкопленочные резисторы.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38187
Appears in Collections:№7-8 (126)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Solovyev_Vliyaniye.pdf935.2 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.