| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-07-30T12:56:59Z | - |
| dc.date.available | 2020-07-30T12:56:59Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Муравьев, В. В. Моделирование выходных характеристик полупроводниковых приборов с использованием графена и гексогонального нитрида бора / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Технические средства защиты информации: тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 9 июня 2020 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2020. – С. 55. | ru_RU |
| dc.identifier.isbn | 978-985-543-513-7 | - |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39555 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены вопросы моделирования выходных характеристик полупроводниковых приборов с использованием материалов графена и гексогонального нитрида бора. Высокое значение подвижности носителей заряда, высокая теплопроводность и ряд других его положительных свойств делают графен перспективным материалом для использования в полупроводниковых приборах и структурах. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | графен | ru_RU |
| dc.subject | гексогональный нитрид бора | ru_RU |
| dc.title | Моделирование выходных характеристик полупроводниковых приборов с использованием графена и гексогонального нитрида бора | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2020
|
