https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39893| Title: | Деградация характеристик МОП-структур в условиях накопления заряда в подзатворном диэлектрике на основе двуокиси кремния |
| Authors: | Писаренко, Н. С. |
| Keywords: | материалы конференций;МОП-транзисторы;подзатворные диэлектрики;интегральные микросхемы |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Писаренко, Н. С. Деградация характеристик МОП-структур в условиях накопления заряда в подзатворном диэлектрике на основе двуокиси кремния / Писаренко Н. С. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 56-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель-май 2020 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск : БГУИР, 2020. - С. 31. |
| Abstract: | Деградация характеристик МОП транзисторов, связанная с ухудшением свойств подзатворного диэлектрика на основе диоксида кремния, является одной из основных проблем отечественных КМОП ИМС. Решение этой проблемы обуславливает дальнейшую миниатюризацию и увеличение надежности микроэлектронных устройств. Практическая значимость проводимых научных исследований связана с необходимостью повышения надежности МОП транзисторов субмикронных размеров на кремниевых подложках КДБ12 (100) и КДБ10 (111). Настоящая работа посвящена исследованиям, направленным на повышение качества подзатворного оксида в условиях изготовления отечественных ИМС, что позволит значительно снизить количество брака и отказов, связанных с пробоем подзатворного диэлектрика. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/39893 |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 56-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2020) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Pisarenko_Degradatsiya.pdf | 283.22 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.