Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/41981
Title: Электронные свойства наноструктурированного оксида ниобия с термически активированными точечными дефектами
Authors: Гвоздовский, Д. Ч.
Стемпицкий, В. Р.
Stempitsky, V. R.
Keywords: материалы конференций;наноструктурированный оксид;квантово-механическое компьютерное моделирование
Issue Date: 2020
Publisher: БГУИР, РБ
Citation: Гвоздовский, Д. Ч. Электронные свойства наноструктурированного оксида ниобия с термически активированными точечными дефектами / Гвоздовский Д. Ч., Стемпицкий В. Р. // Информационные радиосистемы и радиотехнологии 2020 : материалы Республиканской научно-практической конференции, Минск, 28-29 октября 2020 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. А. Богуш [и др.]. – Минск : БГУИР, 2020. – С. 303-306.
Abstract: В работе представлены результаты квантово-механического компьютерного моделирования, проведенного с целью исследования электронных свойств структур на основе наноструктурированного оксида ниобия, для оценки возможности применения данных материалов в устройствах современной электроники. Расчеты фундаментальных свойств квазидвумерных материалов выполнялись с использованием современных первопринципных методов, основанных на теории функционала плотности. В качестве среды моделирования использовался программный пакет VASP (Vienna Ab initio Simulation Package), который предназначен для выполнения квантово-механических расчетов. В результате моделирования установлены следующие характеристики структур на основе оксида ниобия: бездефектный кристалл Nb2O5 является немагнитным материалом с запрещенной зоной равной 2,2 эВ; параметры элементарной ячейки: a=3.873 Å, b=4.061 Å, c=6.827 Å; α=90.08˚, β=106.47˚, γ=90.00˚; у наноструктурированного оксида ниобия с вакансией иона ниобия и иона кислорода происходит увеличение ширины запрещенной зоны на 0,76 и 0,21 эВ, соответственно. Прямозонный тип проводимости сохраняется у всех исследуемых структур на основе наноструктурированного оксида ниобия. Полученные результаты количественно и качественно характеризуют электронные свойства кристаллических структур на основе Nb2O5 и могут быть использованы при разработке методов расчетов основных электрофизических параметров перспективных компонентов электроники. The article presents the results of quantum-mechanical computer simulation. The purpose of studying the electronic properties of structures based on nanostructured niobium oxide to assess the possibility of using this group of materials in modern electronic devices. Calculations of the fundamental properties of crystals were performed using firstprinciple methods based on the density functional theory. The VASP software package (Vienna Ab initio Simulation Package) was used as the simulation tool, which is designed to perform quantum-mechanical calculations. As a result of the simulation, the following characteristics of structures based on niobium oxide were established: Nb2O5 bulk crystal is a non-magnetic material with a band gap of 2.2 eV; unit cell parameters: a=3.873 Å, b=4.061 Å, c=6.827 Å; α=90.08˚, β=106.47˚, γ=90.00˚; for nanostructured niobium oxide with a vacancy of a niobium ion and an oxygen ion, the band gap increases by 0.76 and 0.21 eV, respectively. The direct-gap type of conductivity is retained for all structures under study based on nanostructured niobium oxide. The results obtained quantitatively and qualitatively characterize the electronic properties of crystal structures based on Nb2O5 and can be used to develop methods for calculating the basic electrophysical parameters of promising electronic components.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/41981
Appears in Collections:Информационные радиосистемы и радиотехнологии 2020 : Республиканская научно-практическая конференция

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Gvozdovskiy_Elektronnyye.pdf1.09 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.