https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42105| Title: | Фоточувствительные структуры на основе FEIN2S4 |
| Authors: | Павлюковец, С. А. |
| Keywords: | материалы конференций;спинтроника;полупроводниковая электроника;монокристаллы;магнитные полупроводники |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Павлюковец, С. А. Фоточувствительные структуры на основе FEIN2S4 / Павлюковец С. А. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 75–76. |
| Abstract: | Целью данной работы, принадлежащей новому перспективному направлению полупроводниковой электроники (спинтроники), являлось выращивание монокристаллов FeIn2S4 и создание первых фоточувствительных структур на их основе, позволивших в итоге начать первые реальные исследования их фотоэлектрических свойств и определить первые прикладные перспективы нового магнитного полупроводника. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42105 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2010 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Pavlyukovets_Fotochuvstvitelnyye.pdf | 95.25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.