https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42123| Title: | Моделирование технологии формирования структуры IGBT транзистора |
| Authors: | Шелибак, И. М. |
| Keywords: | материалы конференций;биполярные транзисторы;IGBT-транзисторы;силовые электронные приборы |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Шелибак, И. М. Моделирование технологии формирования структуры IGBT транзистора / Шелибак И. М. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 122. |
| Abstract: | IGBT-транзистор (англ. Insulated Gate Bipolar Transistor — биполярный транзистор с изолированным затвором) представляет собой силовой электронный прибор, предназначенный в основном, для управления электрическими приводами. Выпускаются как отдельные IGBT, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для управления цепями трёхфазного тока. Диапазон использования IGBT транзистор — от десятков а до 1200 а по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42123 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2010 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Shelibak_Modelirovaniye.pdf | 81.94 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.