| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Романова, И. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-29T09:02:00Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-29T09:02:00Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами / Абрамов И. И. [и др.] // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – Т. 19, № 2. – С. 714–721. – DOI : 10.17587/nmst.19.714-721. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225 | - |
| dc.description.abstract | С использованием разработанных комбинированных моделей проведено моделирование одно- и двухзатворных полевых транзисторов на однослойном графене. Исследовано влияние различных факторов на вольт-амперные характеристики приборов. Получено хорошее согласование результатов расчетов с экспериментальными данными. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Новые технологии | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | полевые транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | графены | ru_RU |
| dc.subject | вольт-амперные характеристики | ru_RU |
| dc.subject | комбинированное моделирование | ru_RU |
| dc.title | Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами | ru_RU |
| dc.title.alternative | Simulation of Graphene Field-Effect Transistors with the Single and Dual Gates | - |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
