Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorАбрамов, И. И.-
dc.contributor.authorКоломейцева, Н. В.-
dc.contributor.authorЛабунов, В. А.-
dc.contributor.authorРоманова, И. А.-
dc.date.accessioned2020-12-29T09:02:00Z-
dc.date.available2020-12-29T09:02:00Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationМоделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами / Абрамов И. И. [и др.] // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – Т. 19, № 2. – С. 714–721. – DOI : 10.17587/nmst.19.714-721.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225-
dc.description.abstractС использованием разработанных комбинированных моделей проведено моделирование одно- и двухзатворных полевых транзисторов на однослойном графене. Исследовано влияние различных факторов на вольт-амперные характеристики приборов. Получено хорошее согласование результатов расчетов с экспериментальными данными.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНовые технологии, РФru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectполевые транзисторыru_RU
dc.subjectграфеныru_RU
dc.subjectвольт-амперные характеристикиru_RU
dc.subjectкомбинированное моделированиеru_RU
dc.titleМоделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворамиru_RU
dc.title.alternativeSimulation of Graphene Field-Effect Transistors with the Single and Dual Gates-
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Abramov_Modelirovaniye.pdf723.7 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.