https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225| Title: | Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами |
| Other Titles: | Simulation of Graphene Field-Effect Transistors with the Single and Dual Gates |
| Authors: | Абрамов, И. И. Коломейцева, Н. В. Лабунов, В. А. Романова, И. А. |
| Keywords: | публикации ученых;полевые транзисторы;графены;вольт-амперные характеристики;комбинированное моделирование |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | Новые технологии |
| Citation: | Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами / Абрамов И. И. [и др.] // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – Т. 19, № 2. – С. 714–721. – DOI : 10.17587/nmst.19.714-721. |
| Abstract: | С использованием разработанных комбинированных моделей проведено моделирование одно- и двухзатворных полевых транзисторов на однослойном графене. Исследовано влияние различных факторов на вольт-амперные характеристики приборов. Получено хорошее согласование результатов расчетов с экспериментальными данными. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_Modelirovaniye.pdf | 723.7 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.