Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225
Title: Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами
Other Titles: Simulation of Graphene Field-Effect Transistors with the Single and Dual Gates
Authors: Абрамов, И. И.
Коломейцева, Н. В.
Лабунов, В. А.
Романова, И. А.
Abramov, I. I.
Kolomejtseva, N. V.
Labunov, V. A.
Romanova, I. A.
Keywords: публикации ученых;полевые транзисторы;графены;вольт-амперные характеристики;комбинированное моделирование
Issue Date: 2017
Publisher: Новые технологии, РФ
Citation: Моделирование полевых графеновых транзисторов с одним и двумя затворами / Абрамов И. И. [и др.] // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – Т. 19, № 2. – С. 714–721. – DOI : 10.17587/nmst.19.714-721.
Abstract: С использованием разработанных комбинированных моделей проведено моделирование одно- и двухзатворных полевых транзисторов на однослойном графене. Исследовано влияние различных факторов на вольт-амперные характеристики приборов. Получено хорошее согласование результатов расчетов с экспериментальными данными.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42225
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Abramov_Modelirovaniye.pdf723.7 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.