Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42400
Title: Механизм переключения резистивной памяти на основе диоксида гафния
Authors: Данилюк, М. А.
Мигас, Д. Б.
Данилюк, А. Л.
Keywords: материалы конференций;защита информации;информационная безопасность;запоминающие устройства;наношнуры
Issue Date: 2011
Publisher: БГУИР
Citation: Данилюк, М. А. Механизм переключения резистивной памяти на основе диоксида гафния / Данилюк М. А., Мигас Д. Б., Данилюк А. Л. // Технические средства защиты информации : тезисы докладов IХ Белорусско-российской научно-технической конференции, Минск, 28–29 июня 2011 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2011. – С. 64–65.
Abstract: Актуальной задачей для систем защиты информации является разработка запоминающих устройств, сочетающих энергонезависимое хранение данных неограниченное время без необходимости регенерации, высокую скорость чтения/записи, неограниченное число циклов стирания/записи данных, высокую масштабируемость и плотность ячеек для создания микросхем памяти различного объема. Одним из перспективных направлений является разработка резистивной энергонезависимой памяти с произвольной выборкой (RRAM) на основе диоксида гафния.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42400
Appears in Collections:ТСЗИ 2011

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Danilyuk_Mekhanizm.pdf160.1 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.