Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42913
Title: Способ изготовления транзистора
Other Titles: Пат. 15265 Респ. Беларусь
Authors: Снитовский, Ю. П.
Нелаев, В. В.
Ефремов, В. А.
Keywords: патенты;транзисторы;микроэлектроника
Issue Date: 2011
Publisher: Национальный центр интеллектуальной собственности
Citation: Способ изготовления транзистора : пат. 15265 Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 21/331 / Снитовский Ю. П., Нелаев В. В., Ефремов В. А. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20090596 ; заявл. 30.12.2010 ; опубл. 30.12.2011. – 15 с. : ил.
Abstract: Способ изготовления транзистора, включающий формирование пленки диоксида кремния посредством термического окисления поверхности кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем с последующим осаждением пиролитического диоксида кремния, вскрытие в комбинированном слое диоксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности пленки термического диоксида кремния, осаждение на нее фоторезиста, вскрытие в нем окон под охранное кольцо, легирование области охранного кольца путем ионного внедрения базовой примеси через пленку термического диоксида кремния по маске фоторезиста с окнами под охранное кольцо, диффузионный отжиг базовой примеси в нейтральной среде, вскрытие в пленке термического диоксида кремния эмиттерных окон для формирования базовой области, легирование базовой области путем ионного внедрения базовой примеси в кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем через пленку термического диоксида кремния и в ее эмиттерные окна, диффузионный отжиг базовой примеси в нейтральной среде, легирование эмиттерных областей путем ионного внедрения эмиттерной примеси в кремниевую подложку через эмиттерные окна в пленке термического диоксида кремния, диффузионный отжиг эмиттерной примеси в нейтральной среде, вскрытие контактных окон и формирование контактов к эмиттерной и базовой областям на основе алюминия с барьерным слоем молибдена, отличающийся тем, что перед нанесением пленки алюминия на поверхность кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем с вскрытыми контактными окнами на эту поверхность наносят пленку молибдена толщиной h, осаждают на нее фоторезист, вскрывают в нем эмиттерные окна, дополнительно легируют эмиттерные области путем ионного внедрения эмиттерной примеси через пленку молибдена по маске фоторезиста с окнами под эмиттер дозой ионов эмиттерной примеси 0,5·1014-6,2·1014 см -2 и энергией ионов такой, чтобы средний проективный пробег ионов был не меньше толщины h пленки молибдена, после нанесения пленки алюминия формируют разводку и осуществляют низкотемпературный отжиг контактов в нейтральной среде.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42913
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15265.pdf395.47 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.