Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42927
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБондаренко, В. П.-
dc.contributor.authorКлышко, А. А.-
dc.contributor.authorЧубенко, Е. Б.-
dc.date.accessioned2021-02-10T11:41:04Z-
dc.date.available2021-02-10T11:41:04Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationСпособ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния : пат. 17212 Респ. Беларусь : МПК (2006) C 30B 29/10, C 25D 9/08, H 01L 21/02 / Бондаренко В. П., Клышко А. А., Чубенко Е. Б. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20101310 ; заявл. 30.04.2012 ; опубл. 30.06.2013. – 7 с. : ил.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42927-
dc.description.abstractСпособ формирования пленки бинарного полупроводникового соединения групп AIIBVI или AVBVI на поверхности монокристаллической кремниевой пластины, при котором непосредственно в кремниевой пластине формируют буферный слой, представляющий собой слой мезопористого кремния толщиной 0,5-5,0 мкм, и осаждают на него пленку бинарного полупроводникового соединения групп AIIBVI или AIVBVI методом катодного электрохимического осаждения. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сформированный буферный слой дополнительно покрывают методом катодного электрохимического осаждения слоем металла, выбранного из ряда, включающего никель, кобальт, медь, палладий, серебро и их сплавы, толщиной 0,01-0,5 мкм. Способ по п.1, отличающийся тем, что буферный слой мезопористого кремния формируют анодной обработкой кремниевой пластины в водном растворе электролита, содержащем фтороводородную кислоту.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherНациональный центр интеллектуальной собственности, РБru_RU
dc.subjectпатентыru_RU
dc.subjectэлектронная техникаru_RU
dc.subjectполупроводниковые приборыru_RU
dc.subjectбинарные полупроводниковые соединенияru_RU
dc.titleСпособ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремнияru_RU
dc.title.alternativeПат. 17212 Респ. Беларусьru_RU
dc.typeДругоеru_RU
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
17212.pdf122.88 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.