Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42936
Title: Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si1_xGex
Authors: Строгова, А. С.
Ковалевский, А. А.
Keywords: публикации ученых
нанокластеры
квантовые точки
Issue Date: 2019
Publisher: Парк-Медиа, РФ
Citation: Строгова, А. С. Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si1_xGex / А. С. Строгова, А. А. Ковалевский // Российские нанотехнологии. – 2019. – № 14 (11-12). – С. 35–43. – DOI: https://doi.org/10.21517/1992-7223-2019-11-12-35-43.
Abstract: Представлены экспериментальные результаты влияния исходного буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на возможность и особенности формирования нанокластеров Si1 – xGex (Si, Ge и SiGe). Предложен механизм формирования кремниевых, германиевых и кремний-германиевых нанокластеров (НК) на буферных слоях аморфного кремния, нитрида кремния и оксидов кремния, диспрозия и иттрия. Показано влияние исходного буферного слоя на поверхности подложек в условиях технологического процесса осаждения пленок наноструктурированного кремния, легированного германием (НСК(Ge)), на конфигурацию, размеры и поверхностную концентрацию НК.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42936
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Strogova_Issledovaniye.pdf962.02 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.