Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42936
Название: Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si1_xGex
Авторы: Строгова, А. С.
Ковалевский, А. А.
Ключевые слова: публикации ученых;нанокластеры;квантовые точки
Дата публикации: 2019
Издательство: Парк-Медиа
Описание: Строгова, А. С. Исследование влияния буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на особенности формирования нанокластеров в структуре Si1_xGex / А. С. Строгова, А. А. Ковалевский // Российские нанотехнологии. – 2019. – № 14 (11-12). – С. 35–43. – DOI: https://doi.org/10.21517/1992-7223-2019-11-12-35-43.
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты влияния исходного буферного слоя на поверхности подложки и среды процесса на возможность и особенности формирования нанокластеров Si1 – xGex (Si, Ge и SiGe). Предложен механизм формирования кремниевых, германиевых и кремний-германиевых нанокластеров (НК) на буферных слоях аморфного кремния, нитрида кремния и оксидов кремния, диспрозия и иттрия. Показано влияние исходного буферного слоя на поверхности подложек в условиях технологического процесса осаждения пленок наноструктурированного кремния, легированного германием (НСК(Ge)), на конфигурацию, размеры и поверхностную концентрацию НК.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42936
Располагается в коллекциях:Публикации в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Strogova_Issledovaniye.pdf962.02 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.