Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43434
Title: Технология селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию
Other Titles: Technology of selective reactive-ion silicon nitride etching to polycrystalline silicon
Authors: Емельянов, В. В.
Emelyanov, V. V.
Keywords: материалы конференций;реактивно-ионное травление;микроэлектроника;поликристаллический кремний;reactive-ion etch;microelectronics;polycrystalline silicon
Issue Date: 2021
Publisher: БГУИР, РБ
Citation: Емельянов, В. В. Технология селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию = Technology of selective reactive-ion silicon nitride etching to polycrystalline silicon / В. В. Емельянов // Электронные системы и технологии : сборник материалов 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 19-23 апреля 2021 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2021. – С. 175–177.
Abstract: Экспериментально исследовано влияние внешних характеристик разряда на качественные показатели реактивно-ионного травления слоя нитрида кремния и поликристаллического кремния. Установлено, что для газовой смеси (CHF3:Ar:O2) увеличение расхода хладона 23 и аргона приводит к увеличению скорости травления, как нитрида кремния, так и поликристаллического кремния, а увеличение расхода кислорода приводит к снижению селективности травления и угла наклона боковой стенки нитрида кремния. Предложен процесс селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию. The influence of external discharge characteristics on the quality parameters of reactiveion etching of a layer of silicon nitride and polycrystalline silicon is experimentally investigated. It is established that for a gas mixture (CHF3:Ar:O2) an increase in the consumption of freon 23 and argon leads to an increase in the etching rate of both silicon nitride and polycrystalline silicon, and an increase in oxygen consumption leads to a decrease in the selectivity of etching and the angle of inclination of the side wall of silicon nitride. The process of selective reactive-ion etching of silicon nitride to polycrystalline silicon is proposed.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43434
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 57-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2021)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Emelianov_Tekhnologiya.pdf357.01 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.