Автоматизированный контроль процесса формирования переходных отверстий в кремниевых подложках посредством лазерного и инфракрасного нагрева

Abstract

Автоматизированный контроль процесса формирования переходных отверстий в кремниевых подложках 3D структур по технологии TSV посредством лазерного излучения и инфракрасного нагрева в средневолновом диапазоне при помощи микроконтроллерного устройства позволяет повысить точность проводимых опытов, упростить сбор данных необходимых для последующего анализа и ля установления оптимальных параметров технологического процесса. Automated control of the process of forming vias into silicon substrates for the formation of 3D structures using TSV technology by means of laser radiation and infrared heating in the medium wavelength range, using a microcontroller device, makes it possible to increase the accuracy of the experiments, simplify the collection of data necessary for the subsequent analysis necessary to establish the optimal parameters of the technological process.