Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43718
Title: Измерение тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов
Other Titles: Measuring thermal resistance of power semiconductor devices
Authors: Герман, Е. В.
Гармилин, Е. В.
Keywords: материалы конференций;полупроводниковые приборы;интегральные микросхемы;semiconductor devices;integrated microcircuits
Issue Date: 2021
Publisher: БГУИР
Citation: Герман, Е. В. Измерение тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов = Measuring thermal resistance of power semiconductor devices / Е. В. Герман, Е. В. Гармилин // Электронные системы и технологии : сборник материалов 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 19-23 апреля 2021 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2021. – С. 447–450.
Abstract: В работе рассмотрены особенности измерения тепловых сопротивлений силовых полупроводниковых приборов: представлены формулы, практические особенности, термограммы распределения температур на МОП транзисторах, включенных с радиатором и без, рассчитаны численные значения сопротивлений. The paper considers the features of measuring the thermal resistances of power semiconductor devices: formulas, practical features, thermograms of the temperature distribution on MOS transistors connected with and without a radiator are presented, the numerical values of the resistances are calculated.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43718
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 57-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2021)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
German_Izmereniye.pdf373.11 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.