https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/44374| Title: | Влияние ориентации и морфологии на решеточную теплопроводность Si/Ge наношнуров сегментного типа |
| Authors: | Холяво, И. И. Хомец, А. Л. Сафронов, И. В. |
| Keywords: | материалы конференций;наношнуры;решетчатая теплопроводность;теплопроводность |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Холяво, И. И. Влияние ориентации и морфологии на решеточную теплопроводность Si/Ge наношнуров сегментного типа / Холяво И. И., Хомец А. Л., Сафронов И. В. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2021 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск : БГУИР, 2021. – С. 104–105. |
| Abstract: | В работе проведено исследование влияния ориентации и морфологии наношнуров Si и Ge с диаметром ~ 5 нм на решеточную теплопроводность. Обнаружено, что для наношнуров Si/Ge со структурой сегментного типа возможно достичь коэффициента теплопроводности менее 2 Вт/(м∙К), в то время как значения теплопроводности для наношнуров из чистого Si и Ge составляют 19,1 и 11,4 Вт/(м∙К). |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/44374 |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2021) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Kholyavo_Vliyaniye1.pdf | 908.29 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.