Низкотемпературные магнетотранспортные свойства тонкой пленки CaSi на Si(100)

Abstract

В работе исследован механизм транспорта в тонкой (130 нм) поликристаллической пленке CaSi на кремниевой подложке с ориентацией Si(100) в диапазоне температур 2-300 К. Низкотемпературные холловские и магнетотранспортные измерения показали, что пленка CaSi демонстрирует транспортные свойства, характерные для плохих металлов. В ней обнаружен гигантский магнеторезистивный эффект (ГМРЭ) до 4000% при температуре около 50 K и магнитном поле 8 Tл. Продемонстрирована линейная зависимость ГМРЭ от магнитного поля и аномалия удельного сопротивления, связанная с переходом Лифшица или образованием волны зарядовой плотности, а также обнаружены осцилляции продольного магнетосопротивления при температурах 2-15 К, что указывает на нетривиальные квантовые транспортные свойства пленки.