Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/44675
Title: Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработки
Other Titles: Formation of a gate dielectric of nanometer thickness by rapid thermal threatment
Authors: Ковальчук, Н. С.
Омельченко, А. А.
Пилипенко, В. А.
Солодуха, В. А.
Шестовский, Д. В.
Keywords: доклады БГУИР;термическая обработка;фотодиссоциация;азотирование;heat treatment;photodissociation;nitriding
Issue Date: 2021
Publisher: БГУИР, РБ
Citation: Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработки / Ковальчук Н. С. [и др.] // Доклады БГУИР. – 2021. – № 19(4). – С. 103–112. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-4-103-112.
Abstract: Проведены исследования толщины и оптических характеристик тонких пленок SiO2 ,полученных одно-, двух- или трехстадийным процессом быстрой термической обработки (БТО) при атмосферном давлении, импульсами длительностью 6, 12 и 20 с. Для получения тонких пленок SiO2 методом БТО в качестве исходных образцов использовали пластины кремния КЭФ4,5 (100). Предварительно образцы окислялись при 1000 °С во влажном кислороде (толщина полученного SiO2 d = 100 нм), затем в растворе плавиковой кислоты проводилось полное снятие оксида кремния, после пластины подвергались химической очистке по технологии Radio Corporation of America (RCA). Окисление в стационарной атмосфере кислорода производилось в одну или две стадии при нагреве пластин импульсом света разной мощности до максимальных температур 1035 – 1250 °С, а также трехстадийным процессом, где заключительным этапом был отжиг в атмосфере азота либо в формовочном газе (N 2 97 % + H 2 3 %). Были проведены исследования характеристик азотированных в N2 барьерных структур SiO2 -Si, полученных процессом БТО световыми потоками импульсами секундной длительности для улучшения электрофизических параметров оксидов затвора методом БТО, что представляет интерес для интегральных микросхем (ИС) с большой плотностью расположения активных областей приборов. Investigations of the thickness and optical characteristics of thin SiO 2 films obtained by one-, two-, or three-stage rapid thermal processing (RTP) at atmospheric pressure, pulses of 6, 12, and 20 s duration have been carried out. To obtain thin SiO 2 films by the RTP method, N-type:Ph 4.5 Оhm/□ (100) silicon wafers were used as initial samples. The samples were preliminarily oxidized at 1000 °C of the obtained wet oxygen (SiO2 d = 100 nm), then the silicon oxide was completely removed in a solution of hydrofluoric acid, after which the wafers were subjected to chemical cleaning using the Radio Corporation of America (RCA) technology. Oxidation in a stationary oxygen atmosphere was carried out in one or two stages by heating the plates with a light pulse of different power up to maximum temperatures of 1035 – 1250 °C, as well as a three-stage process, where the final stage was annealing in a nitrogen atmosphere or in a forming gas (N2 97% + H2 3%). The characteristics of SiO 2 -Si barrier structures nitrided in N2, obtained by the RTP process by light fluxes with pulses of a second duration, were studied to improve the electrophysical parameters of gate oxides by the RTP method. It is of interest for integrated circuits (ICS) with a high density of the active regions of devices.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/44675
Appears in Collections:№ 19(4)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kovalchuk_Formirovaniye.pdf1.35 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.