Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45289
Title: Эффективность прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов методом имитационных воздействий
Authors: Боровиков, С. М.
Мандик, Н. Е.
Keywords: доклады БГУИР;биполярные транзисторы;имитационные воздействия;методы прогнозирования
Issue Date: 2005
Publisher: БГУИР
Citation: Боровиков, С. М. Эффективность прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов методом имитационных воздействий / Боровиков С. М., Мандик Н. Е. // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 85.
Abstract: Для индивидуального прогнозирования постепенных отказов биполярных транзисторов можно использовать метод имитационных воздействий. В него основу положен принцип статистической аналогии между изменениями параметра, обусловленными длительным функционированием транзисторов, и изменениями этого же параметра, вызываемыми действием в начальный момент времени имитационного фактора, не приводящего к уменьшению рабочего ресурса прибора.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45289
Appears in Collections:№5

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borovikov_Effektivnost2.pdf165.89 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.