Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4580
Title: Оптимизация конструктивно-технологических параметров и верификация электрических характеристик МОП-транзистора с 0,35 мкм проектными нормами
Other Titles: Optimization of technological parameters and verification of electrical characteristics of the 0.35 μm MOSFET
Authors: Чан, Туан Чунг
Стемпицкий, В. Р.
Сорока, С. А.
Keywords: доклады БГУИР;интегральная микросхема;МОП-транзисторы;статистический анализ;моделирование
Issue Date: 2015
Publisher: БГУИР
Citation: Чан, Туан Чунг Оптимизация конструктивно-технологических параметров и верификация электрических характеристик МОП-транзистора с 0,35 мкм проектными нормами / Чан Туан Чунг, В. Р. Стемпицкий, С. А. Сорока // Доклады БГУИР. - 2015. - № 3 (89). - С. 83 - 89.
Abstract: Представлено описание оригинального комплексного подхода к решению задачи статистического анализа в процессе сквозного проектирования изделий микроэлектроники от этапа проектирования технологического процесса до проектирования системы. Описано тестирование данной методики на примере исследования влияния разброса технологических параметров на конструктивные и электрические характеристики 0,35 мкм МОП-транзистора, а также на характеристики аналоговых и цифровых схемотехнических решений на его основе.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4580
Appears in Collections:№3 (89)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Chan_Optimizatsiya.PDF910.32 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.