Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46071
Title: Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем
Other Titles: Experimental studies and a double gate JFET model for analog integrated circuits
Authors: Галкин, Я. Д.
Дворников, О. В.
Чеховский, В. А.
Прокопенко, Н. Н.
Keywords: доклады БГУИР;двухзатворные транзисторы;электрометрические усилители;зарядочувствительные усилители;double gate transistor;electrometric amplifier;charge-sensitive amplifier
Issue Date: 2021
Publisher: БГУИР, РБ
Citation: Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем / Галкин Я. Д. [и др.] // Доклады БГУИР. – 2021. – № 19 (7). – С. 5–12. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-7-5-12.
Abstract: Одним из направлений улучшения параметров аналоговых интегральных микросхем является разработка новых и модернизация существующих конструкций интегральных элементов без значительного изменения технологического маршрута изготовления интегральных микросхем с одновременным созданием моделей новых интегральных элементов. В статье рассмотрены результаты экспериментальных исследований двухзатворного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, изготовленного по технологическому маршруту 3CBiT ОАО «Интеграл». На основе полученных результатов предложена электрическая модель двухзатворного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, описывающая особенности его применения в аналоговых интегральных микросхемах. Приведено сравнение результатов измерений и моделирования вольтамперных характеристик с использованием созданной модели при разных режимах управления затворами. Малая емкость и обратный ток верхнего затвора двухзатворного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, возможность компенсации постоянной составляющей входного тока обеспечивают значительное улучшение характеристик таких аналоговых интегральных микросхем, как электрометрические операционные усилители и зарядочувствительные усилители. Разработанный двухзатворный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом может найти применение в устройствах считывания сигналов, необходимых в аналоговых интерфейсах датчиков космического приборостроения и ядерной Электроники.
metadata.local.description.annotation: One of directions of improving parameters of analog integrated circuits is a development of new and modernization of existing designs of integrated elements without significantly changing of a technological route of integrated circuit manufacturing with a simultaneous creation of new integrated elements models. The article considers the results of experimental studies of the double gate junction field-effect transistor manufactured according to the 3CBiT technological route of JSC Integral. Based on the obtained results, the electrical model of double gate junction field-effect transistor is proposed, which describes the features of its application in analog integrated circuits. Comparison of I-V characteristics of measurements results and created model simulation are presented. A small capacity and a reverse current of a double gate junction field-effect transistor top gate, an ability to compensate for the DC (direct current) component of an input current provide a significant improvement in the characteristics of analog integrated circuits such as electrometric operational amplifiers and charge-sensitive amplifiers. The developed double gate junction field-effect transistor can be used in signal readout devices required in the analog interfaces of space instrument sensors and nuclear electronics.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46071
Appears in Collections:№ 19(7)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Galkin_Eksperimentalnie.pdf635.24 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.