| Title: | Температурный коэффициент сопротивления легированных редкоземельными элементами наноструктурированных пленок кремния |
| Other Titles: | Temperature resistance coefficient of doped with rare earth elements nanostructured silicon films |
| Authors: | Строгова, А. С. |
| Keywords: | доклады БГУИР;редкоземельные элементы;наноструктурированные пленки;имплантация;rare-earth elements;nanostructured films;implantation |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Строгова, А. С. Температурный коэффициент сопротивления легированных редкоземельными элементами наноструктурированных пленок кремния / Строгова А. С. // Доклады БГУИР. – 2021. – № 19 (7). – С. 99–105. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-7-99-105. |
| Abstract: | Исследовались закономерности изменения концентрации электрически активной
легирующей примеси в пленке наноструктурированного кремния, путем изменения удельного
электрического сопротивления в зависимости от условий легирования. Определены зависимости
изменения полученных структур, легированных редкоземельными элементами (РЗЭ), такими как
La, Eu, Sm, Dy, Gd (лантаноиды), на наноструктурированных пленках кремния. Установлены
закономерности изменения полученных пленок и изменение температурного коэффициента
сопротивления (ТКС) в зависимости от условий формирования. Показаны закономерности изменения
ТКС в зависимости от выбранных условий легирования или нелегирования различными примесями
наноструктурированных пленок кремния. Показано, что основными условиями, при которых показано
воздействие и изменение температурного коэффициента сопротивления резисторов на тонких пленках с
использованием РЗЭ, таких как кислород, бор и фосфор, в объеме пленки, считается температурное
влияние уже после осаждения. |
| Alternative abstract: | The regularities of changes in the concentration of an electrically active dopant in a nanostructured
silicon film by changing the electrical resistivity depending on the doping conditions were investigated. The
dependences of the changes in the obtained structures doped with rare-earth elements, such as
La, Eu, Sm, Dy, Gd (lanthanides), on nanostructured silicon films are determined. The regularities of the
obtained films changes and the temperature coefficient of resistance (TCR) change depending on the formation
conditions are established. The regularities of the TCR are shown depending on the selected conditions for
doping or non-doping of nanostructured silicon films with various impurities. It is shown that the main
conditions under which the effect and change in the temperature coefficient of resistors resistance on thin films
using rare-earth elements, such as oxygen, boron and phosphorus in the bulk of the film, is considered to be the
temperature effect after deposition. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46135 |
| Appears in Collections: | № 19(7)
|
