Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46592
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВоробьева, А. И.-
dc.contributor.authorЛабунов, В. А.-
dc.contributor.authorУткина, Е. А.-
dc.contributor.authorГрапов, Д. В.-
dc.date.accessioned2022-01-24T12:51:41Z-
dc.date.available2022-01-24T12:51:41Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationМеталлизация переходных отверстий в кремниевых пластинах для создания трехмерных микроструктур / А. И. Воробьева [и др.] // Микроэлектроника. – 2021. – Т. 50, № 1. – С. 1–11. – DOI : 10.31857/S0544126921010105.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46592-
dc.description.abstractИсследованы процессы электрохимического осаждения меди в матрицу вертикальных отверстий разного диаметра (500–2000 нм) в подложках Si/SiO2 с барьерным слоем TiN на дне отверстий. Морфологические исследования металла в отверстиях показали, что структура кластеров меди достаточно однородна и формируется из кристаллитов размером ~30–50 нм. Повторяемость и стабильность при однородной структуре и 100% -ной степени заполнения отверстий Cu определяют перспективу применения системы Si/SiO2/Cu в качестве базового элемента для создания трехмерных микро- и наноструктур, и для 3D сборки кристаллов ИМС.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherИКЦ "Академкнига", РФru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectэлектрохимическое осаждениеru_RU
dc.subjectмедьru_RU
dc.subjectбарьерный слойru_RU
dc.subjectтрехмерная сборка кристалловru_RU
dc.subjectметаллизацияru_RU
dc.subjectморфологические характеристикиru_RU
dc.titleМеталлизация переходных отверстий в кремниевых пластинах для создания трехмерных микроструктурru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Vorobjova_Metallizatsiya.pdf2.6 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.