Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46779
Title: Моделирование электрического параметра транзисторов при прогнозировании их надежности методом имитационных воздействий
Other Titles: Simulation of the electrical parameter of transistors in prediction of their reliability simulation method
Authors: Боровиков, С. М.
Калита, Е. В.
Бересневич, А. И.
Keywords: публикации ученых;биполярные транзисторы;имитационное воздействие;модели электрических параметров;функция пересчета;bipolar transistors;simulation effect;electrical parameter model;simulation model
Issue Date: 2022
Publisher: Издательство «Интернаука»
Citation: Боровиков, С. М. Моделирование электрического параметра транзисторов при прогнозировании их надёжности методом имитационных воздействий / С. М. Боровиков, Е. В. Калита, А. И. Бересневич // Интернаука. – 2022. – № 7 (230), ч. 2. – C. 25–30.
Abstract: Метод имитационных воздействий позволяет по отклику (реакции) параметра технического изделия на какое-то физическое воздействие спрогнозировать изменение этого параметра на заданное время работы изделия. Для полупроводниковых приборов в качестве имитационного воздействия удобно использовать протекающие токи через p-n-переходы или прикладываемые к переходам напряжения. Уровень имитационного воздействия (тока или напряжения) зависит от заданной наработки и определяется для приборов интересующего типа по заранее полученной (с помощью предварительных экспериментальных исследований) имитационной модели в виде функции пересчёта заданной наработки на имитационное значение тока (напряжения). Прогнозирование значения электрического параметра для заданной наработки и решение о надёжности однотипных экземпляров, не принимавшим участия в предварительных исследованиях, сводится к измерению у конкретного экземпляра электрического параметра при уровне имитационного тока (напряжения), рассчитанном по функции пересчёта для заданной наработки. Для получения имитационной модели необходимо экспериментально вначале получить зависимость электрического параметра приборов интересующего типа от изменений тока (напряжения), а затем зависимость этого же параметра от заданной наработки. Причём изменения электрического параметра, обусловленные током (напряжением), являются обратимыми, а изменения, вызываемые длительной наработкой – необратимыми (деградационными). В работе на примере биполярных транзисторов большой мощности типа КТ872А показано, как экспериментально найти модель электрического функционального параметра в виде его зависимости от тока коллектора. Наличие этой модели необходимо для определения функции пересчёта заданной наработки транзисторов на имитационный уровень тока коллектора.
Alternative abstract: The method of imitation impacts allows, based on the response (reaction) of a parameter of a technical product to some physical impact, to predict a change in this parameter for a given time of operation of the product. For semiconductor devices, it is convenient to use currents flowing through p-n junctions or voltages applied to junctions as a simulation effect. The level of simulation impact (current or voltage) depends on the specified operating time and is determined for devices of the type of interest according to the simulation model obtained in advance (using preliminary experimental studies) as a function of recalculating the specified operating time for the simulation value of current (volt-age). Predicting the value of an electrical parameter for a given operating time and deciding on the reliability of similar specimens that did not take part in preliminary studies is reduced to measuring an electrical parameter for a specific instance at the level of imitation current (voltage) calculated by the recalculation function for a given operating time. To obtain a simulation model, it is necessary to experimentally first obtain the dependence of the electrical parameter of the devices of interest on current (voltage) changes, and then the dependence of the same parameter on a given operating time. Moreover, changes in the electrical parameter due to current (voltage) are reversible, and changes caused by long-term operation are irreversible (degradation). In this work, using the example of high-power bipolar transistors of the KT872A type, it is shown how to experimentally find a model of an electrical functional parameter in the form of its dependence on the collector current. The presence of this model is necessary to determine the function of recalculating the given operating time of transistors to the simulation level of the collector current.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46779
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borovikov_Modelirovaniye.pdf760.54 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.