Локализация излучения света в лавинных светодиодах на основе нанокристаллического кремния

Abstract

A study of the localization of light emission in avalanche LEDs based on nanocrystalline silicon has been performed. It is shown that point light emission with an area of up to 1 μm2 occurs in places with a high electric field strength, namely, at the corner points of aluminum electrodes. Localization of light emission can be used to generate random numbers (single photons). Светоизлучающие структуры на основе кремния являются одним из приоритетных направлений научных исследований, так как именно они являются ключевым элементом, определяющим перспективы развития кремниевой фотоники, с которой связывается будущее интегральной электроники. Одним из наиболее перспективных источников света являются кремниевые лавинные светодиоды. Использование механизма лавинного пробоя обратносмещенных p-n переходов или контактов Шоттки обуславливает одно из главных преимуществ данных приборов – высокое быстродействие, позволяющее функционировать в гига- и даже терагерцовом диапазоне частот. Особенностям процесса светоизлучения лавинных светодиодов на кремнии посвящена данная работа.