Особенности спектров пропускания и значений ширины запрещённой зоны прямозонных полупроводниковых материалов в объёмном и пленочном состояниях

Abstract

Экспериментально исследовано влияние структуры образцов полупроводниковых материалов, на примере In2S3, на значение ширины запрещённой зоны Eg. Показано, что для всех образцов, как поликристаллических, так и аморфных с увеличением средних размеров зерён микрорельефа наблюдалась тенденция к уменьшению значений ширины запрещённой зоны и её приближение к эталонным значениям, полученным для монокристаллов. Анализ крутизны возрастания (a.hw)2 для различных образцов также позволяет говорить о том, что для крупнозернистых образцов рост (a.hw)2 гораздо более выраженный и погрешность оценки Eg в таком случае будет меньше. The influence of the structure of samples of semiconductor materials, on the example of In2S3, on the value of the band gap Eg, has been experimentally studied. It is shown, that for all samples, both polycrystalline and amorphous, with an increase in the average size of microrelief grains, there was a tendency to a decrease in the values of the band gap and its approach to the reference values obtained for single crystals. An analysis of the steepness of the increase (a.hw)2 for various samples also allows us to say that for coarse-grained samples, the growth (a.hw)2 is much more pronounced and the error in estimating Eg in this case will be smaller.