Формирование функционального слоя интегральной микросхемы реактивно-ионным травлением

Abstract

Путем экспериментальных исследований получен процесс селективного реактивно-ионного травления нитрида кремния к поликристаллическому кремнию, позволяющий достичь наилучшего профиля и скорости травления нитрида кремния при формировании слоя разделения. Исследована зависимость скорости травления от внешних характеристик разряда (мощности, давления и состава рабочих газов).Through experimental studies, a process of selective reactive-ion etching of silicon nitride to polycrystalline silicon was obtained, which makes it possible to achieve the best profile and rate of etching of silicon nitride during the formation of a separation layer. The dependence of the etching rate on the external characteristics of the discharge (power, pressure, and composition of the working gases) has been studied.