Влияние параметров ионного пучка на электрофизические характеристики тонких пленок меди

Abstract

Экспериментально исследовано влияние параметров ионных пучков на электрофизические характеристики тонких пленок меди. Установлено, что удельное объемное сопротивление практически не зависело от величины ионного тока и энергии ионов и находилось в пределах (0,8–1,6)•10 –7 Ом•м. При токе пучка 25 мкА температурный коэффициент сопротивления был отрицательным и составлял 9,2•10 –4 К –1 . При более высоких токах ионного пучка он имел положительный знак, слабо зависел от Uа и находился в диапазоне (6,2–17,0)•10 –4 К –1. The influence of the parameters of ion beams on the electrophysical characteristicsof thin copper films has been experimentally studied. It was found that the specific volume resistance was practically independent of the ion current and ion energy and was within the range (0.8–1.6) •10 –7 Ohm•m. At a beam current of 25 μA, the temperature coefficient of resistance was negative and amounted to 9.2•10 –4 K–1. At higher ion beam currents, it had a positive sign, weakly depended on Uа, and was in the range (6.2–17.0)•10 –4 K–1 .