Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47281
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТо, К. Т.-
dc.date.accessioned2022-06-07T06:49:25Z-
dc.date.available2022-06-07T06:49:25Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationТо, К. Т. Болометрические характеристики пленок оксида ванадия при легировании вольфрамом / К. Т. То // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 496–500. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47281-
dc.description.abstractПроведены исследования влияния параметров процесса распыления и степени легирования вольфрамом на электрофизические характеристики пленок оксида ванадия, формируемых методом реактивного магнетронного распыления V-W мозаичной мишени. Получены зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления (ТКС) от концентрации Wв мишени и концентрации кислорода в Ar/O2 смеси газов процессе нанесения. Установлено, что при добавках вольфрама характер зависимости не изменялся, но характеристики смещались в сторону больших концентраций кислорода. При увеличении количества W вставок с 0 до 2 максимум удельного сопротивления пленок смещался с 16.7 % до 22.4 % O2. Однако формирование пленок с высоким ТКС наблюдалось в более узком диапазоне концентраций кислорода от 20–30 %. The influence of the parameters of the sputtering process and the degree of doping with tungsten on the electrical characteristics of vanadium oxide films formed by reactive magnetron sputtering of a V-W mosaic target has been studied. The dependences of the resistivity and temperature coefficient of resistance (TCC) on the concentration W in the target and the concentration of oxygen in the Ar/O2 gas mixture during deposition were obtained. It was found that with the addition of tungsten, the nature of the dependence did not change, but the characteristics shifted towards higher oxygen concentrations. With an increase in the number W of inserts from 0 to 2, the maximum resistivity of the films shifted from 16.7% to 22.4% O2. However, the formation of films with a high TCR was observed in a narrower range of oxygen concentrations from 20 –30%.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectлегированные оксиды ванадияru_RU
dc.subjectреактивное магнетронное распылениеru_RU
dc.subjectмозаичная мишеньru_RU
dc.subjectболометрические характеристикиru_RU
dc.subjectтемпературный коэффициент сопротивленияru_RU
dc.subjectудельное сопротивлениеru_RU
dc.subjectdoped vanadium oxideru_RU
dc.subjectreactive magnetron sputteringru_RU
dc.subjectmosaic targetru_RU
dc.subjectbolometric characteristicsru_RU
dc.subjecttemperature coefficient of resistanceru_RU
dc.subjectresistivityru_RU
dc.titleБолометрические характеристики пленок оксида ванадия при легировании вольфрамомru_RU
dc.title.alternativeBolometric characteristics of vanadium oxide films doping with tungstenru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
To_Bolometricheskiye.pdf286.24 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.