Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47295
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЖаворонок, И. А.-
dc.contributor.authorТихон, О. И.-
dc.date.accessioned2022-06-07T11:24:47Z-
dc.date.available2022-06-07T11:24:47Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationЖаворонок, И. А. Зарядовые состояния МОП-структур / И. А. Жаворонок, О. И. Тихон // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 406–408. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47295-
dc.description.abstractПроведен анализ процессов, происходящих на поверхности МОП-структур во время плазменной обработки, причины возникновения зарядовых состояниях и их влияние на параметры выходного изделия. The analysis of the processes occurring on the surface of MOS structures during plasma processing, the causes of the occurrence of charge states and their influence on the parameters of the output product is carried out.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectзарядовые состоянияru_RU
dc.subjectМОП-структурыru_RU
dc.subjectплазменная обработкаru_RU
dc.subjectcharge statesru_RU
dc.subjectMOS structureru_RU
dc.subjectplasma processingru_RU
dc.titleЗарядовые состояния МОП-структурru_RU
dc.title.alternativeCharge states of MOS structuresru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Zhavoronok_Zaryadovyye.pdf208.57 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.