Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47511
Title: Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем
Other Titles: Double Gate JFET Improved Model for Analog Integrated Circuits
Authors: Галкин, Я. Д.
Дворников, О. В.
Чеховский, В. А.
Keywords: доклады БГУИР;двухзатворные транзисторы;электрические модели;вольт-амперные характеристики
Issue Date: 2022
Publisher: БГУИР, РБ
Citation: Галкин, Я. Д. Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем / Я. Д. Галкин, О. В. Дворников , В. А. Чеховский // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 3. – С. 20–25. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-3-20-25.
Abstract: Двухзатворные полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом часто применяются в аналоговых интегральных микросхемах для обеспечения предельно малого входного тока и емкости при управлении верхним затвором. Схемотехнический синтез и моделирование аналоговых микросхем с таким полевым транзистором возможны только при наличии моделей, адекватно описывающих особенности его работы, а именно – изменение вольт-амперных характеристик, управляя верхним затвором при подаче постоянного обратного напряжения на нижний затвор. В статье рассмотрена модернизация известной электрической модели двухзатворного полевого транзистора для программы LTSpice, заключающаяся в учете влияния напряжения на нижнем затворе путем включения в цепь верхнего затвора двух последовательно соединенных функциональных источников напряжения, один из которых обеспечивает совпадение результатов измерений и моделирования тока стока при малом напряжении между верхним затвором и истоком, а второй – при напряжении между верхним затвором и истоком, близком к напряжению отсечки. Приведена методика идентификации параметров функциональных источников напряжения. Предложенную модель двухзатворного полевого транзистора целесообразно использовать при схемотехническом проектировании различных аналоговых устройств, особенно электрометрических операционных усилителей и зарядочувствительных усилителей.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47511
Appears in Collections:№ 20(3)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Galkin_Uluchshennaya.pdf1.12 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.