Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Зонная структура 3D и 2D размерного Ca2Si
Other Titles: Bands structure of 3D and 2D Ca2Si
Authors: Богородь, В. О.
Шапошников, В. Л.
Филонов, А. Б.
Колосницын, Б. С.
Мигас, Д. Б.
Keywords: доклады БГУИР;тонкие пленки;силицид кальция;зонная структура
Issue Date: 2015
Publisher: БГУИР
Citation: Зонная структура 3D и 2D размерного Ca2Si / В. О. Богородь [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 4 (90). - С. 23 - 26.
Abstract: Представлены результаты теоретического исследования зонных структур объемного Ca2Si и тонких пленок на его основе с поверхностями (001), (010), (100). Установлено, что объемный Ca2Si и тонкие пленки Ca2Si(010) и (100) являются прямозонными полупроводниками, а поверхностные состояния приводят к металлическим свойствам тонких пленок Ca2Si(001).
Alternative abstract: The results of theoretical research of band structures of Ca2Si bulk and Ca2Si thin films with surfaces (001), (010), (100) are presented. It`s found that Ca2Si bulk and thin film Ca2Si(010) and (100) are direct bandgap semiconductors while Ca2Si(001) thin films show the metallic properties because of surface`s states.
Appears in Collections:№4 (90)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bogorod_Zonnaya.PDF737.31 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.