Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49651
Title: Влияние морфологии на фононную теплопроводность нанопроволок Si, Ge и Si/Ge типа ядро/оболочка
Authors: Холяво, И. И.
Хомец, А. Л.
Сафронов, И. В.
Филонов, А. Б.
Мигас, Д. Б.
Keywords: публикации ученых;нанопроволоки;структура ядро/оболочка;кремний;германий;теплопроводность;молекулярная динамика
Issue Date: 2022
Publisher: Физико-технический институт им. А. Ф.Иоффе РАН
Citation: Влияние морфологии на фононную теплопроводность нанопроволок Si, Ge и Si/Ge типа ядро/оболочка / И. И. Холяво [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2022. – Т. 56, № 6. – P. 580-587. – DOI : 10.21883/FTP.2022.06.52593.9780.
Abstract: Для термоэлектрических применений полупроводниковых нанопроволок дополнительным фактором понижения их теплопроводности является изменение морфологии. В данной работе для нанопроволок Si, Ge, а также Si/Ge типа ядро/оболочка методом неравновесной молекулярной динамики исследовано влияние объемной доли и типа материала ядра на теплопроводность при 300K. Принимались во внимание нанопроволоки с экспериментально наблюдаемыми <100>, <110>, <111> и <112> ориентациями и различными сечениями. Обнаружено, что для <112>-ориентированных нанопроволок Si-ядро/Ge-оболочка при объемной доле ядра ∼ 30% теплопроводность является наименьшей (5.76 Вт/(м•K)), в то время как значения теплопроводности для нанопроволок из чистого Si и Ge составляют 13.8 и 8.21 Вт/(м•K) соответственно.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49651
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Holyavo_Vliyanie.pdf1.82 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.