Влияние тонкопленочных покрытий SiO2:Me на эффективность фотогенерирующих элементов

Abstract

Представлены результаты исследований влияния тонкопленочных покрытий на основе SiO2:Cux и SiO2:Nix на КПД фотоэлементов (использовались фотоэлементы Aoshike). Отработаны технологические режимы получения мишеней, содержащих наночастицы ионов переходных металлов, и определены режимы нанесения тонких пленок на подложки методом импульсного лазерного испарения. Результаты исследований вольт-амперных характеристик показали, что покрытия с применением никеля, а также покрытия с минимальной концентрацией меди являются наилучшими. Эффективность фотоэлементов с этими покрытиями практически такая же, как у чистых образцов. Значения Pmax у них даже несколько выше, однако о явном увеличении КПД говорить преждевременно, так как полученные отклонения Pmax находятся в рамках погрешности измерений и разброса параметров покрытий.