Фоточувствительные свойства лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния

Лазарук, С. К.; Дудич, В. В.; Клюцкий, А. Ю.; Долбик, А. В.; Лешок, А. А.; Дударенко, В. Н.; Ярмольчик, А. А.; Лабунов, В. А.; Кицюк, Е. П.; Рязанов, Р. М.; Басаев, А. С.; Светухин, В. В.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49777

Title:	Фоточувствительные свойства лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния
Other Titles:	Photosensitivity of nanostructured silicon avalanche leds
Authors:	Лазарук, С. К. Дудич, В. В. Клюцкий, А. Ю. Долбик, А. В. Лешок, А. А. Дударенко, В. Н. Ярмольчик, А. А. Лабунов, В. А. Кицюк, Е. П. Рязанов, Р. М. Басаев, А. С. Светухин, В. В.
Keywords:	публикации ученых;лавинные светодиоды;наноструктурированный кремний;электролюминесценция;оптические межсоединения
Issue Date:	2022
Publisher:	Беларуская Навука
Citation:	Фоточувствительные свойства лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния = Photosensitivity of nanostructured silicon avalanche leds / С. К. Лазарук [и др.] // Опто, микро- и свч-электроника – 2022 : cборник статей II международной научно-технической конференции, 21–23 сентября 2022 года, г. Минск / редкол. : Н. С. Казак (гл. ред.) [и др.]. — Минск : Беларуская навука, 2022. — С. 175-185.
Abstract:	Продемонстрирована совместимость технологии изготовления лавинных светодиодов на основе наноструктурированного кремния с технологией кремниевых КМОП ИС. Показано, что лавинные светодиоды обладают как светоизлучающими, так и фоточувствительными свойствами в зависимости от напряжения обратного смещения. Проведен анализ электрофизических параметров лавинных светодиодов на кремнии. Рассмотрено использование ла винных светодиодов на основе наноструктурированного кремния как для гальванической развязки ИС, так и для быстродействующих оптических межсоединений ИС.
Alternative abstract:	The compatibllity ofnanostructured silicon-based ava\anche LED manufacturing technology with silicon CMOS IC technology has been demonstrated. lt is shown that avalanche LEDs have both light emitting and photosensitive properties depending оп the reverse Ьias voltage. The analysis of e\ectrical-physical parameters of avalanche light-emitting diodes оп silicon is carried out. The use of avalanche LEDs based оп nanostructured silicon is considered both for galvanic decoupling of ICs and for high-speed optical interconnects of ICs.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49777
Appears in Collections:	Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Lazaruk_Fotochuvstvitelnie.pdf		4.01 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar