| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Рубцевич, И. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-11-17T09:19:18Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T08:37:26Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-17T09:19:18Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T08:37:26Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Рубцевич, И. И. Разработка процессов формирования высокоинтегрированных структур полевых транзисторов для силовой электроники : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / И. И. Рубцевич; науч. рук. С. В. Бордусов. - Мн.: БГУИР, 2005. - 23 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5044 | - |
| dc.description.abstract | Установлены корреляционные зависимости между физико-топологическими пара-метрами высоковольтных и сильнотоковых ДМОП-транзисторов вертикальной структуры и их статическими и динамическими характеристиками, такими как пороговое и пробивное напряжение, сопротивление прибора в открытом состоянии, крутизна, паразитные емкости. На основании этих зависимостей разработан и программно реализован оптимизационный алгоритм расчета структуры элементарной ячейки высокоинтегрированного ДМОП-транзистора и технологические режимы ее формирования, обеспечивающие задаваемые электрические параметры приборов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | полевой транзистор | ru_RU |
| dc.subject | ДМОП-транзистор | ru_RU |
| dc.subject | силовая электроника | ru_RU |
| dc.subject | ячейка кристалла | ru_RU |
| dc.subject | структура | ru_RU |
| dc.subject | топология | ru_RU |
| dc.subject | расчет | ru_RU |
| dc.subject | электрические параметры | ru_RU |
| dc.subject | технологический процесс | ru_RU |
| dc.subject | электростатическое воздействие | ru_RU |
| dc.subject | FET | ru_RU |
| dc.subject | DMOS transistor | ru_RU |
| dc.subject | power management | ru_RU |
| dc.subject | chip cell | ru_RU |
| dc.subject | structure | ru_RU |
| dc.subject | topology | ru_RU |
| dc.subject | computation | ru_RU |
| dc.subject | electrical parameters | ru_RU |
| dc.subject | process | ru_RU |
| dc.subject | ESD impact | ru_RU |
| dc.title | Разработка процессов формирования высокоинтегрированных структур полевых транзисторов для силовой электроники | ru_RU |
| dc.title.alternative | Development of the Processes for Formation of Highly-Integrated FET Structures for Power Management | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | The correlation dependencies of physical and topological parameters of high-voltage and high-current vertical DMOS transistors versus their static and dynamic characteristics such as threshold and breakdown voltages, on-resistance of the device, forward transconductance, parasitic capacitances have been defined. Based on those dependencies, an optimization algorithm for computation of the structure of the elementary cell for high-integrated DMOS transistors and the process conditions of its formation, which provides the required electrical parameters of devices, have been developed and software-implemented. | - |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
