| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Берашевич, Ю. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-11-25T09:54:53Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T08:34:22Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-25T09:54:53Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T08:34:22Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Берашевич, Ю. А. Перенос носителей заряда и электролюминесценция в наноразмерных периодических структурах кремний/диэлектрик: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Ю. А. Берашевич ; науч. рук. В. Е. Борисенко. - Мн.: БГУИР, 2002. - 22 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5092 | - |
| dc.description.abstract | Разработана модель переноса и рекомбинации носителей заряда через периодические структуры кремний/диэлектрик и дано ее математическое описание, на основе которого разработан программный комплекс, позволяющий моделировать электрические и оптические характеристики этих структур на персональных компьютерах. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрик | ru_RU |
| dc.subject | нанокристалл | ru_RU |
| dc.subject | периодические структуры | ru_RU |
| dc.subject | программный комплекс | ru_RU |
| dc.subject | транспорт | ru_RU |
| dc.subject | туннельно-резонансный перенос | ru_RU |
| dc.subject | электролюминесценция | ru_RU |
| dc.subject | silicon | ru_RU |
| dc.subject | insulator | ru_RU |
| dc.subject | nanocrystal | ru_RU |
| dc.subject | periodical strictures | ru_RU |
| dc.subject | computer code | ru_RU |
| dc.subject | transport | ru_RU |
| dc.subject | tunnel-resonance transfer | ru_RU |
| dc.subject | electroluminescence | ru_RU |
| dc.title | Перенос носителей заряда и электролюминесценция в наноразмерных периодических структурах кремний/диэлектрик. | ru_RU |
| dc.title.alternative | Charge carrier transport and electroluminescence in periodical silicon/insulator nanostructures. | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | The model of the carrier transport and recombination has been developed for periodical silicon/insulator structures. The mathematical description of the model and computer code for simulation of electrical and optical characteristics of the structures have been realized. | - |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
