| Title: | Физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем. |
| Other Titles: | Physical and topological modeling of MOSFET for low-energy CMOS chips engineering. |
| Authors: | Будник, А. В. |
| Keywords: | авторефераты диссертаций;модель МОП - транзистора;подвижность носителей заряда;ток стока МОП — транзистора;поверхностный потенциал;программное обеспечение;the model of MOSFET;carrier mobility;MOSFET drain current;surface potential;oftware |
| Issue Date: | 2001 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Будник, А. В. Физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем:автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / А. В. Будник; науч. рук. А.И. Корзун. - Мн.: БГУИР, 2001. - 23 с. |
| Abstract: | Целью работы является разработка физико-топологической модели МОП- транзистора, основанной на зарядовом приближении, учитывающей зависимость поверхностного потенциала, подвижности носителей заряда от режимов его работы в предпороговой области и сильной инверсии и обеспечивающей адекватность расчета выходной вольт-амперной характеристики. |
| Alternative abstract: | The aim of the present dissertation is to develop the MOSFET physical and topological model, based on charge approximation, which considers surface potential dependence, carrier mobility against its operation modes: under threshold and of strong inversion. The model should provide adequate calculation of output VAC. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5103 |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
