Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51185
| Title: | Способ формирования межслойной изоляции в производстве интегральных микросхем |
| Other Titles: | А. с. 1711269 А1 СССР |
| Authors: | Ковалевский, А. А. |
| Keywords: | патенты;электротехника;интегральные микросхемы;полупроводниковые приборы |
| Issue Date: | 1992 |
| Publisher: | Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий |
| Citation: | Способ формирования межслойной изоляции в производстве интегральных микросхем : а. с. 1711269 А1 СССР : МПК H 01 L 21/324 / А. А. Ковалевский ; заявитель и патентообладатель Минский радиотехнический институт. – № 4819463/25 ; заявл. 27.04.1990 ; опубл. 07.02.1992 – 4 с. : ил. |
| Abstract: | Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии оплавления фосфоросиликатного стекла в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51185 |
| Appears in Collections: | Изобретения
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
