Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/514
Title: Влияние морфологии на зонную структуру InAs и GaAs наношнуров
Authors: Яцыно, Д. А.
Арситов, Я. С.
Мигас, Д. Б.
Migas, D. B.
Keywords: морфология структура наношнуров;зонная структура наношнуров;материалы конференций
Issue Date: 2014
Publisher: БГУИР
Citation: Яцыно, Д. А. Влияние морфологии на зонную структуру InAs и GaAs наношнуров // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C.49-50
Abstract: Результаты расчетов, проведенных с помощью метода из первых принципов, показали, что свойства <111>-ориентированных GaAs и InAs наношнуров изменяются от металлических до полупроводниковых в зависимости от морфологии наноструктур.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/514
ISBN: 978-985-543-038-5
Appears in Collections:Секция «Микро- и наноэлектроника»

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
влияние морфологии.pdf543.36 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.