Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51476
Title: Распределение электрофизических свойств пленок оксида циркония при реактивном магнетронном нанесении на вращающуюся подложку
Other Titles: Distribution of the electrophysical properties of Zirconium oxide films deposited by reactive magnetron sputtering on a rotating substrate
Authors: Нгуен, В. Т. А.
Доан, Т. Х.
Нестерчик, Р. И.
Keywords: материалы конференций;тонкие пленки;магнетронное распыление;реактивное распыление
Issue Date: 2023
Publisher: БГУИР
Citation: Нгуен, В. Т. А. Распределение электрофизических свойств пленок оксида циркония при реактивном магнетронном нанесении на вращающуюся подложку = Distribution of the electrophysical properties of Zirconium oxide films deposited by reactive magnetron sputtering on a rotating substrate / Нгуен В. Т. А., Доан Т. Х., Нестерчик Р. И. // Электронные системы и технологии : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2023. – С. 493–497.
Abstract: Проведены исследования профилей распределения толщины и электрофизических свойств пленок оксида циркония, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления Zr мишени в Ar/O2 смеси газов. Установлено, что при переходе из металлического в реактивный режим работы системы (концентрации кислорода в Ar/O2 смеси газов более 16,7 %) на оси магнетрона формируется пик, где скорость нанесения значительно превышает скорость нанесения, характерную для магнетронного распыления в среде Ar. При нанесении пленок оксида циркония на вращающуюся подложку это приводит к увеличению неравномерности скорости нанесения на подложке Æ 200 мм с ±9,3 % при распылении в среде Ar до ±11,5 % при распылении в среде Ar/O2. При вращении подложки получены пленки оксида циркония с разбросом диэлектрической проницаемостью по площади подложки от 13 до 18 и тангенс угла диэлектрических потерь 0,01 – 0,02 на частоте 1 кГц и 0,08 – 0,11 на частоте 1 МГц.
Alternative abstract: The thickness and electrophysical properties distribution profiles of zirconium oxide films deposited by reactive magnetron sputtering of a Zr target in an Ar/O2 gas mixture have been studied. It has been established that upon transition from the metallic to the reactive mode of the system (the oxygen concentration in the Ar/O2 gas mixture is more than 16,7 %), a peak is formed in the center of the sputtering zone, where the deposition rate significantly exceeds the deposition rate typical of magnetron sputtering in the Ar atmosphere. When zirconium oxide films are deposited on a rotating substrate, this leads to an increase in the nonuniformity of the deposition rate on the substrate Æ 200 mm from ±9,3 % at sputtering in an Ar atmosphere to ±11,5 % at sputtering in an Ar/O2 atmosphere. By rotating the substrate, zirconium oxide films were obtained with a spread in the permittivity over the substrate area from 13 to 18 and a dielectric loss tangent of 0,01 – 0,02 at a frequency of 1 kHz and 0,08 – 0,11 at a frequency of 1 MHz.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51476
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 59-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Nguen_Raspredelenie.pdf3.01 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.