Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Температурная зависимость роста 3C-SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния
Other Titles: Temperature Dependence of 3С-SiC Growth During Rapid Vacuum Thermal Silicon Treatment
Authors: Лобанок, М. В.
Гайдук, П. И.
Keywords: доклады БГУИР;вакуумно-термическая обработка;эпитаксиальные структуры;вакуумная карбидизация;тонкие пленки
Issue Date: 2023
Publisher: БГУИР
Citation: Лобанок, М. В. Температурная зависимость роста 3C-SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния=Temperature Dependence of 3С-SiC Growth During Rapid Vacuum Thermal Silicon Treatment / М. В. Лобанок, П. И. Гайдук // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 4. – С. 12–18.
Abstract: Представлены результаты исследования структуры, фазового состава и кинетики роста эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевых подложках при их быстрой вакуумно-термической обработке. Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено формирование слоев кубического политипа SiC (3C-SiC) на кремнии при карбидизации в диапазоне температур 1000–1300 °С. Обнаружено, что формирование слоев SiC проходит в два этапа, характеризующихся различными энергиями активации. В более низкотемпературном диапазоне (1000–1150 °С) энергия активации процесса роста SiC составляет E a = 0,67 эВ, тогда как в диапазоне 1150–1300 °С она увеличивается практически на порядок (E a = 6,3 эВ), что указывает на смену лимитирующего физического процесса. Установлено, что тип проводимости и ориентация подложки оказывают влияние на толщину формированных слоев SiC. При этом наибольшая толщина слоев карбида кремния достигается на кремниевых подложках с ориентацией (111) p-типа проводимости.
Alternative abstract: The paper presents the results of a study of the structure, phase composition, and growth kinetics of silicon carbide epitaxial layers on silicon substrates during their rapid vacuum thermal treatment. Transmission electron microscopy revealed the formation of layers of the cubic polytype SiC (3C-SiC) on silicon during carbidization in the temperature range of 1000–1300 °C. It was found that the formation of SiC layers proceeds in two stages, characterized by different activation energies. In the lower temperature range from 1000 to 1150 °C, the activation energy of the SiC growth process is E a = 0.67 eV, while in the temperature range from 1150 to 1300 °C, the acti-vation energy increases by almost an order of magnitude (E a = 6.3 eV), which indicates a change in the limiting physical process. It has been established that the type of conductivity and the orientation of the substrate affect the thickness of the formed SiC layers. In this case, the greatest thickness of silicon carbide layers is achieved on silicon substrates with (111) orientation of p-type conductivity.
Appears in Collections:Том 21, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lobanok_Temperaturnaya.pdf586.82 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.