Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5271
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.-
dc.date.accessioned2015-12-14T14:09:42Z
dc.date.accessioned2017-07-20T08:02:27Z-
dc.date.available2015-12-14T14:09:42Z
dc.date.available2017-07-20T08:02:27Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationКовальчук, Н. С. Многослойные структуры на основе нитрида кремния для мембранных микроэлектромеханнческих систем и полупроводниковых приборов: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Н. С. Ковальчук; науч. рук. Л. П. Ануфриев. - Мн.: БГУИР, 2012. - 21 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5271-
dc.description.abstractЦель работы: исследование и разработка конструкций, технологических маршрутов и выбор режимов изготовления сбалансированных по остаточным напряжениям многослойных структур полупроводниковых приборов и мембран микроэлектромеханических устройств.The aim of the wort, research and development of structures, process routes and choice of modes of production balanced by the residual stress of multilayer structures of semiconductor devices and MEMS membrane devices.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectмногослойные структурыru_RU
dc.subjectмембранаru_RU
dc.subjectполупроводниковые приборыru_RU
dc.subjectнитрид кремнияru_RU
dc.subjectостаточные напряженияru_RU
dc.subjectникельru_RU
dc.subjectплатинаru_RU
dc.subjectанодированный алюминийru_RU
dc.subjectионно-лучевая обработкаru_RU
dc.subjectmultilayered structuresru_RU
dc.subjectmembraneru_RU
dc.subjectsemi-conductor devicesru_RU
dc.subjectsilicon nitrideru_RU
dc.subjectresidual tensionru_RU
dc.subjectnickelru_RU
dc.subjectplatinumru_RU
dc.subjectanodized aluminumru_RU
dc.subjection-beam processingru_RU
dc.titleМногослойные структуры на основе нитрида кремния для мембранных микроэлектромеханнческих систем и полупроводниковых приборовru_RU
dc.title.alternativeMultilayer structures based on silicon nitride for membranes of microelectromechanical systems and semicondnctor devicesru_RU
dc.typeAbstract of the thesisru_RU
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ковальчук.pdf1.27 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.