Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5278
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКоробко, Ю. О.-
dc.date.accessioned2015-12-15T10:38:00Z-
dc.date.accessioned2017-07-20T08:02:26Z-
dc.date.available2015-12-15T10:38:00Z-
dc.date.available2017-07-20T08:02:26Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.citationКоробко, Ю. О. Формирование субмикронных кмоп структур с повышенной точностью критических размеров методами проекционной фотолитографии: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Ю. О. Коробко; науч. рук. А. П. Достанко. - Мн.: БГУИР, 2005. - 22 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5278-
dc.description.abstractЦелью диссертационной работы является исследование влияния ошибок топологии на выходные характеристики ИМС и разработка с помощью фазосмещающих фотошаблонов методов минимизации их влияния на формируемые КМОП структуры с топологическими нормами проектирования 0,25 мкм и менее при использовании фотолитографического оборудования предшествующего поколения.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectмикроэлектроникаru_RU
dc.subjectсубмикронная фотолитографияru_RU
dc.subjectфотошаблоныru_RU
dc.subjectчисленное моделированиеru_RU
dc.subjectэлементы интегральных микросхемru_RU
dc.subjectконтроль критических размеровru_RU
dc.subjectтопологияru_RU
dc.subjectmicroelectronicsru_RU
dc.subjectsubmicron photolithographyru_RU
dc.subjectreticleru_RU
dc.subjectnumerical modelingru_RU
dc.subject1С elementsru_RU
dc.subjectCD controlru_RU
dc.subjectlayoutru_RU
dc.titleФормирование субмикронных кмоп структур с повышенной точностью критических размеров методами проекционной фотолитографииru_RU
dc.title.alternativePatterning of the submicron CMOS structures with tight CD control specifications using optical microlithographyru_RU
dc.typeAbstract of the thesisru_RU
local.description.annotationThe aim of the thesis is to investigate the impact of the defects of the layout on the characteristics of 1С and to develop with the help of phase shift masks methods to minimize their influence forming KMOS structures with layout standards of design 250 nm and below using facilities of the previous generation.-
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Коробко Юлия Олеговна.pdf1.26 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.