| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Костров, А. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-12-15T10:53:10Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T07:50:09Z | - |
| dc.date.available | 2015-12-15T10:53:10Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T07:50:09Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Костров, А. И. Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.16.08 / А. И. Костров; науч. рук. В. Р. Стемпицкий. - Мн.: БГУИР, 2011. - 20 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5279 | - |
| dc.description.abstract | Цель диссертационной работы состоит в разработке принципов построения, электрической модели и макромодели запоминающего устройства на эффекте туннельного магнитосопротивления, предназначенных для использования в современных системах проектирования интегральных микросхем на кремнии. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | энергонезависимая магниторезистивная память | ru_RU |
| dc.subject | магнитный туннельный переход | ru_RU |
| dc.subject | гетероструктура ферромагнетик/диэлектрик/ полупроводник | ru_RU |
| dc.subject | переключение методом передачи спина | ru_RU |
| dc.subject | non-volatile magnetoresistive memory | ru_RU |
| dc.subject | magnetic tunnel junction | ru_RU |
| dc.subject | heterostructure ferromagnetic/insulator/semiconductor | ru_RU |
| dc.subject | spin torque transfer | ru_RU |
| dc.title | Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии | ru_RU |
| dc.title.alternative | Tunneling magnetoresistance memory elements integrated on silicon | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | The goal of this thesis is to elaborate the principles of construction, an electrical model and a macromodel for a storage device based on the effect of tunneling magnetoresistance, intended for up-to-date design systems of silicon integrated microcircuits. | - |
| Appears in Collections: | 05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике) (техническая и физико-математическая отрасли науки)
|
