https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53287| Title: | Физико-топологическая модель арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов, работающего в условиях воздействия ионизирующего излучения |
| Authors: | Тернов, Р. Е. |
| Keywords: | авторефераты диссертаций;технические науки;полупроводниковые приборы;транзисторы |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Тернов, Р. Е. Физико-топологическая модель арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов, работающего в условиях воздействия ионизирующего излучения : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 03 / Р. Е. Тернов ; науч. рук. В. Р. Стемпицкий. – Минск : БГУИР, 2023. – 10 с. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53287 |
| Appears in Collections: | 1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Ternov_Fiziko_topologicheskaya.pdf | 254.61 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.