| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ланин, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Петухов, И. Б. | - |
| dc.contributor.author | Ретюхин, Г. Е. | - |
| dc.coverage.spatial | Молдова | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-11-20T08:30:43Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-20T08:30:43Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Ланин, В. Л. Формирование отверстий в полупроводниковых материалах лазерной микрообработкой / В. Л. Ланин, И. Б. Петухов, Г. Е. Ретюхин // Электронная обработка материалов. – 2022. – Т. 58, №6. – С. 73–79. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53685 | - |
| dc.description.abstract | Исследован процесс лазерного формирования микроотверстий в полупроводниковых подложках на установке лазерной обработки ЭМ-4452-1 с частотой следования импульсов пикосекундного лазера от 10 до 300 кГц при энергии излучения до 10 мкДж. Сочетание высокоскоростных перемещений лазерного луча системой гальваносканера и точного позиционирования обрабатываемого материала повышает эффективность лазерной микрообработки и расширяет функциональные возможности оборудования. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Институт прикладной физики | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | лазерные излучения | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые подложки | en_US |
| dc.subject | микрообработка | en_US |
| dc.title | Формирование отверстий в полупроводниковых материалах лазерной микрообработкой | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | https://doi.org/10.52577/eom.2022.58.6.73 | - |
| local.description.annotation | The process of laser formation of microholes in semiconductor substrates using an EM-4452-1 laser processing unit with a pulse repetition rate of a picosecond laser from 10 to 300 kHz at a radiation energy of up to 10 µJ was investigated. The combination of high-speed movements of the laser beam by the galvanoscanner system and precise positioning of the processed material increases the efficiency of laser microprocessing and expands the functionality of the equipment. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
