Соединение пластин кремния стеклообразным нанокомпозитом, формируемым золь-гель методом

Гайшун, В. Е.; Косенок, Я. А.; Васькевич, В. В.; Тюленкова, О. И.; Борисенко, В. Е.; Ковальчук, Н. С.; Петлицкий, А. Н.; Чумак, С. В.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54027

Title:	Соединение пластин кремния стеклообразным нанокомпозитом, формируемым золь-гель методом
Other Titles:	Silicon wafer bonding by the glass-like sol-gel formed nanocomposite
Authors:	Гайшун, В. Е. Косенок, Я. А. Васькевич, В. В. Тюленкова, О. И. Борисенко, В. Е. Ковальчук, Н. С. Петлицкий, А. Н. Чумак, С. В.
Keywords:	публикации ученых;стеклообразующие композиции;монокристаллический кремний;физические науки;математические науки
Issue Date:	2023
Publisher:	Национальная академия наук Беларуси
Citation:	Соединение пластин кремния стеклообразным нанокомпозитом, формируемым золь-гель методом = Silicon wafer bonding by the glass-like sol-gel formed nanocomposite / В. Е. Гайшун [и др.] // Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук. – 2023. – Т. 59, № 3. – С. 233–240.
Abstract:	Разработан состав стеклообразующей композиции и лабораторная золь-гель технология соединения с ее помощью пластин монокристаллического кремния для создания структур «кремний – изолятор –кремний». Показана возможность снижения температуры формирования качественного соединительного слоя до 1000–1100 °С. Полученные с применением разработанного золь-гель метода стеклокомпозиции могут быть использованы в техно- логических процессах, требующих формирования неразъемных соединений кремниевых пластин.
Alternative abstract:	We have herein developed a glass-forming composition and the related sol-gel technology for bonding monocrystalline silicon wafers to produce «silicon–insulator–silicon» structures. A possibility to fabricate defect-free glass-like bonding layers at the annealing temperature decreased to 1000–1100 °C is demonstrated. The composites obtained by the sol-gel method can be used in technological processes of formation of the solid compound of silicon wafers.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54027
DOI:	DOI: 10.29235/1561-2430-2023-59-3-233-240
Appears in Collections:	Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Gajshun_Soedineniya.pdf		3.14 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar